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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › VS-GB150YG120NT
VS-GB150YG120NT

VS-GB150YG120NT - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番
VS-GB150YG120NT
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明
OUTPUT SW MODULES - ECONO IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
VS-GB150YG120NT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
382 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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VS-GB150YG120NT 詳細な説明

品番 VS-GB150YG120NT
部品ステータス Active
IGBTタイプ NPT
構成 Full Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 182A
電力 - 最大 892W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 4V @ 15V, 200A
電流 - コレクタ遮断（最大） 120µA
入力容量（Cies）@ Vce -
入力 Standard
NTCサーミスタ Yes
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Module
サプライヤデバイスパッケージ ECONO3 4PACK
重量 -
原産国 -

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