日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

VS-GB100LH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番: VS-GB100LH120N
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: VS-GB100LH120N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - モジュール
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 96 pcs
参考価格: USD 279.4425/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

VS-GB100LH120N 詳細な説明

品番	VS-GB100LH120N
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	-
構成	Single
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	200A
電力 - 最大	833W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	1.77V @ 15V, 100A (Typ)
電流 - コレクタ遮断（最大）	1mA
入力容量（Cies）@ Vce	8.96nF @ 25V
入力	Standard
NTCサーミスタ	No
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤデバイスパッケージ	Double INT-A-PAK
重量	-
原産国	-

関連製品 VS-GB100LH120N

画像	品番	メーカー	説明	見る
	VS-GB05XP120KTPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE MTP SWITCH	詳細
	VS-GB100DA60UP	Vishay Semiconductor Diodes Division	MODULE IGBT SOT-227	詳細
	VS-GB100LH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100LP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100NH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100TH120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100TH120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 1136W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100TP120N	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 200A 650W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100TP120U	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 1200V 150A 735W INT-A-PAK	詳細
	VS-GB100TS60NPBF	Vishay Semiconductor Diodes Division	IGBT 600V 108A 390W INT-A-PAK	詳細