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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - IGBT - モジュール › VS-GB100TH120N
VS-GB100TH120N

VS-GB100TH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番
VS-GB100TH120N
メーカー
Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明
IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
VS-GB100TH120N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - IGBT - モジュール
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
81 pcs
参考価格
USD 329.2833/pcs
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VS-GB100TH120N 詳細な説明

品番 VS-GB100TH120N
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
構成 Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 200A
電力 - 最大 833W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic 2.35V @ 15V, 100A
電流 - コレクタ遮断（最大） 5mA
入力容量（Cies）@ Vce 8.58nF @ 25V
入力 Standard
NTCサーミスタ No
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Chassis Mount
パッケージ/ケース Double INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤデバイスパッケージ Double INT-A-PAK
重量 -
原産国 -

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