VS-GB100TH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza: VS-GB100TH120N
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción: IGBT 1200V 200A 833W INT-A-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Precio de referencia: USD 329.2833/pcs
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Número de pieza	VS-GB100TH120N
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Configuración	Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	200A
Potencia - Max	833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.35V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo)	5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	8.58nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	Double INT-A-PAK (3 + 4)
Paquete de dispositivo del proveedor	Double INT-A-PAK
Peso	-
País de origen	-

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