VS-GB100LP120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Número de pieza: VS-GB100LP120N
Fabricante: Vishay Semiconductor Diodes Division
Breve descripción: IGBT 1200V 200A 658W INT-A-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - IGBT - Módulos
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Precio de referencia: USD 74.3425/pcs
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Número de pieza	VS-GB100LP120N
Estado de la pieza	Active
Tipo de IGBT	-
Configuración	Single
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	1200V
Current - Collector (Ic) (Max)	200A
Potencia - Max	658W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	1.8V @ 15V, 100A (Typ)
Corriente - corte de colector (máximo)	1mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce	7.43nF @ 25V
Entrada	Standard
Termistor NTC	No
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	INT-A-Pak
Paquete de dispositivo del proveedor	INT-A-PAK
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
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