| 品番 | SI8900EDB-T2-E1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET機能 | Logic Level Gate |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.4A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | - |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1V @ 1.1mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| 電力 - 最大 | 1W |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 10-UFBGA, CSPBGA |
| サプライヤデバイスパッケージ | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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