| Número de pieza | SI8900EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Característica FET | Logic Level Gate |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Potencia - Max | 1W |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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