| Numéro d'article | SI8900EDB-T2-E1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5.4A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Package de périphérique fournisseur | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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