| Artikelnummer | SI8900EDB-T2-E1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1.1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 10-UFBGA, CSPBGA |
| Lieferantengerätepaket | 10-Micro Foot™ CSP (2x5) |
| Gewicht | - |
| Ursprungsland | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Aussicht |
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