日本语
- English
- Deutschl
- Italia
- France
- España
- 대한민국
- 日本语
- русский

SI8819EDB-T2-E1

SI8819EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

品番: SI8819EDB-T2-E1
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI8819EDB-T2-E1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 1275865 pcs
参考価格: USD 0.12905/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI8819EDB-T2-E1 詳細な説明

品番	SI8819EDB-T2-E1
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	12V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs（th）（Max）@ Id	900mV @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	17nC @ 8V
Vgs（最大）	±8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	650pF @ 6V
FET機能	-
消費電力（最大）	900mW (Ta)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
パッケージ/ケース	4-XFBGA
重量	-
原産国	-

関連製品 SI8819EDB-T2-E1

画像	品番	メーカー	説明	見る
	SI8810EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	詳細
	SI8812DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V MICROFOOT	詳細
	SI8816EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT	詳細
	SI8817DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT	詳細
	SI8819EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT	詳細