SI8819EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

номер части	SI8819EDB-T2-E1
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	12V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17nC @ 8V
Vgs (Макс.)	±8V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	650pF @ 6V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	900mW (Ta)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Упаковка / чехол	4-XFBGA
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
SI8810EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	подробности
SI8812DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V MICROFOOT	подробности
SI8816EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT	подробности
SI8817DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT	подробности
SI8819EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT	подробности