SI8819EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

Artikelnummer	SI8819EDB-T2-E1
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	12V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.5V, 3.7V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vgs (th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 8V
Vgs (Max)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	650pF @ 6V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	900mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Paket / Fall	4-XFBGA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
SI8810EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT	Einzelheiten
SI8812DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V MICROFOOT	Einzelheiten
SI8816EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT	Einzelheiten
SI8817DB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 20V MICROFOOT	Einzelheiten
SI8819EDB-T2-E1	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT	Einzelheiten