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SI8812DB-T2-E1 - Vishay Siliconix

品番: SI8812DB-T2-E1
メーカー: Vishay Siliconix
簡単な説明: MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: SI8812DB-T2-E1 PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 7500 pcs
参考価格: USD 0.1611/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

SI8812DB-T2-E1 詳細な説明

品番	SI8812DB-T2-E1
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	20V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	-
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	1.2V, 4.5V
Vgs（th）（Max）@ Id	1V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	17nC @ 8V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	-
Vgs（最大）	±5V
FET機能	-
消費電力（最大）	500mW (Ta)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	59 mOhm @ 1A, 4.5V
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	4-Microfoot
パッケージ/ケース	4-UFBGA
重量	-
原産国	-

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