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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › TPH3208PD
TPH3208PD

TPH3208PD - Transphorm

品番
TPH3208PD
メーカー
Transphorm
簡単な説明
GANFET N-CH 650V 20A TO220
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
TPH3208PD PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
15245 pcs
参考価格
USD 10.8/pcs
私達の価格
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TPH3208PD 詳細な説明

品番 TPH3208PD
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 650V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.6V @ 300µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 14nC @ 8V
Vgs（最大） ±18V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 760pF @ 400V
FET機能 -
消費電力（最大） 96W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3
重量 -
原産国 -

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