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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › TPH3208PD
TPH3208PD

TPH3208PD - Transphorm

Número de pieza
TPH3208PD
Fabricante
Transphorm
Breve descripción
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
TPH3208PD Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
15245 pcs
Precio de referencia
USD 10.8/pcs
Nuestro precio
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TPH3208PD Descripción detallada

Número de pieza TPH3208PD
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología GaNFET (Gallium Nitride)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Vgs (Max) ±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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