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Zuhause › Produktkategorien › Diskrete Halbleiterprodukte › Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln › TPH3208PD
TPH3208PD

TPH3208PD - Transphorm

Artikelnummer
TPH3208PD
Hersteller
Transphorm
Kurze Beschreibung
GANFET N-CH 650V 20A TO220
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
TPH3208PD PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
-
Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
15245 pcs
Referenzpreis
USD 10.8/pcs
Unser Preis
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TPH3208PD detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPH3208PD
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie GaNFET (Gallium Nitride)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 13A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 8V
Vgs (Max) ±18V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 400V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 96W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-220AB
Paket / Fall TO-220-3
Gewicht -
Ursprungsland -

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