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TPN7R506NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPN7R506NH,L1Q
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPN7R506NH,L1Q PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 12500 pcs
参考価格: USD 0.3921/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPN7R506NH,L1Q 詳細な説明

品番	TPN7R506NH,L1Q
部品ステータス	Active
FETタイプ	N-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	60V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	26A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン）	6.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	4V @ 200µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	22nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1800pF @ 30V
Vgs（最大）	±20V
FET機能	-
消費電力（最大）	700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs	7.5 mOhm @ 13A, 10V
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-TSON Advance (3.3x3.3)
パッケージ/ケース	8-PowerVDFN
重量	-
原産国	-

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