| 品番 | TPN7R506NH,L1Q |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 60V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 6.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 200µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 22nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1800pF @ 30V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| 動作温度 | 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| パッケージ/ケース | 8-PowerVDFN |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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TPN7R506NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON | 詳細 |
