TPN7R506NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPN7R506NH,L1Q
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	60V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 200µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1800pF @ 30V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 13A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Paket / Fall	8-PowerVDFN
Gewicht	-
Ursprungsland	-