TPN7R506NH,L1Q Description détaillée
| Numéro d'article |
TPN7R506NH,L1Q |
| État de la pièce |
Active |
| FET Type |
N-Channel |
| La technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) |
60V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C |
26A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) |
6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 200µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs |
22nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds |
1800pF @ 30V |
| Vgs (Max) |
±20V |
| FET Caractéristique |
- |
| Dissipation de puissance (Max) |
700mW (Ta), 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
7.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Température de fonctionnement |
150°C (TJ) |
| Type de montage |
Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur |
8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paquet / cas |
8-PowerVDFN |
| Poids |
- |
| Pays d'origine |
- |
PRODUITS CONNEXES POUR TPN7R506NH,L1Q
