TPN7R506NH,L1Q

TPN7R506NH,L1Q - Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di parte
TPN7R506NH,L1Q
fabbricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Breve descrizione
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Codice data
New
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Prezzo di riferimento
USD 0.3921/pcs
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TPN7R506NH,L1Q Descrizione dettagliata

Numero di parte TPN7R506NH,L1Q
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 6.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 30V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Pacchetto / caso 8-PowerVDFN
Peso -
Paese d'origine -

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