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TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

品番: TPC8212-H(TE12LQ,M
メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage
簡単な説明: MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: TPC8212-H(TE12LQ,M PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf
カテゴリー: トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 4059 pcs
参考価格: USD 0/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

TPC8212-H(TE12LQ,M 詳細な説明

品番	TPC8212-H(TE12LQ,M
部品ステータス	Obsolete
FETタイプ	2 N-Channel (Dual)
FET機能	Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	30V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	6A
Rds On（Max）@ Id、Vgs	21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2.3V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	16nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	840pF @ 10V
電力 - 最大	450mW
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP (5.5x6.0)
重量	-
原産国	-

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