TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article
TPC8212-H(TE12LQ,M
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
Brève description
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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1 Day
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TPC8212-H(TE12LQ,M Description détaillée

Numéro d'article TPC8212-H(TE12LQ,M
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
Puissance - Max 450mW
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SOP (5.5x6.0)
Poids -
Pays d'origine -

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