TPC8212-H(TE12LQ,M detaillierte Beschreibung
Artikelnummer |
TPC8212-H(TE12LQ,M |
Teilstatus |
Obsolete |
FET Typ |
2 N-Channel (Dual) |
FET-Eigenschaft |
Logic Level Gate |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) |
30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C |
6A |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs |
21 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.3V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs |
16nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
840pF @ 10V |
Leistung max |
450mW |
Betriebstemperatur |
150°C (TJ) |
Befestigungsart |
Surface Mount |
Paket / Fall |
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket |
8-SOP (5.5x6.0) |
Gewicht |
- |
Ursprungsland |
- |
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