TPC8212-H(TE12LQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPC8212-H(TE12LQ,M
Teilstatus	Obsolete
FET Typ	2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft	Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	840pF @ 10V
Leistung max	450mW
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket	8-SOP (5.5x6.0)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
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