TPC8212-H(TE12LQ,M

TPC8212-H(TE12LQ,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer
TPC8212-H(TE12LQ,M
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Kurze Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
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Kategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4008 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
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TPC8212-H(TE12LQ,M detaillierte Beschreibung

Artikelnummer TPC8212-H(TE12LQ,M
Teilstatus Obsolete
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 6A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 21 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 840pF @ 10V
Leistung max 450mW
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOP (5.5x6.0)
Gewicht -
Ursprungsland -

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