TPC8134,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TPC8134,LQ(S
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	40V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	52 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 100µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	20nC @ 10V
Vgs（最大）	+20V, -25V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	890pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	1W (Ta)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	8-SOP
パッケージ/ケース	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
重量	-
原産国	-

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