Numéro d'article | TPC8134,LQ(S |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -25V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1W (Ta) |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | 8-SOP |
Paquet / cas | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Poids | - |
Pays d'origine | - |