TPC8134,LQ(S - Toshiba Semiconductor and Storage

Número de pieza	TPC8134,LQ(S
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 100µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Vgs (Max)	+20V, -25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	890pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOP
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
TPC8.2	VISHAY	Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors	Detalles
TPC8.2A	VISHAY	Surface Mount Automotive Transient Voltage Suppressors	Detalles
TPC8.2AHM3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC	Detalles
TPC8.2AHM3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC	Detalles
TPC8.2AHM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A	Detalles
TPC8.2AHM3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	TVS DIODE 12.1VC 124A TO277A	Detalles
TPC8.2HM3/86A	Vishay Semiconductor Diodes Division	TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC	Detalles
TPC8.2HM3/87A	Vishay Semiconductor Diodes Division	TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC	Detalles
TPC8001	TOSHIBA	TPC8001 TOSHIBA SOP-8 New Original Stocks	Detalles
TPC8001/TPC8003/TPC8004	ORIGINAL	TPC8001/TPC8003/TPC8004 ORIGINAL SOP-8 New Original Stocks	Detalles