Artikelnummer | TPC8134,LQ(S |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5A (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 52 mOhm @ 2.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 100µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
Vgs (Max) | +20V, -25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 890pF @ 10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1W (Ta) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |