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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス › EMF8T2R
EMF8T2R

EMF8T2R - Rohm Semiconductor

品番
EMF8T2R
メーカー
Rohm Semiconductor
簡単な説明
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EMF8T2R PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
EMF8T2R.pdf
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - アレイ、プリバイアス
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
193218 pcs
参考価格
USD 0.1316/pcs
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EMF8T2R 詳細な説明

品番 EMF8T2R
部品ステータス Not For New Designs
トランジスタタイプ 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 100mA, 500mA
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 50V, 12V
抵抗器 - ベース（R1）（オーム） 47k
抵抗器 - エミッタベース（R2）（オーム） 47k
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce飽和（最大）@Ib、Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
周波数 - 遷移 250MHz, 320MHz
電力 - 最大 150mW
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOT-563, SOT-666
サプライヤデバイスパッケージ EMT6
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
EMF-105-01-F-D EMF-105-01-F-D Samtec Inc. .050" EDGE MOUNT SOCKET STRIP 詳細
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