EMF8T2R

EMF8T2R - Rohm Semiconductor

Artikelnummer
EMF8T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
EMF8T2R PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
EMF8T2R.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
194718 pcs
Referenzpreis
USD 0.1316/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern EMF8T2R

EMF8T2R detaillierte Beschreibung

Artikelnummer EMF8T2R
Teilstatus Not For New Designs
Transistor-Typ 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V, 12V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz, 320MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR EMF8T2R