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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés › EMF8T2R
EMF8T2R

EMF8T2R - Rohm Semiconductor

Numéro d'article
EMF8T2R
Fabricant
Rohm Semiconductor
Brève description
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
EMF8T2R Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
EMF8T2R.pdf
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
200683 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1316/pcs
Notre prix
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EMF8T2R Description détaillée

Numéro d'article EMF8T2R
État de la pièce Not For New Designs
Type de transistor 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V, 12V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz, 320MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur EMT6
Poids -
Pays d'origine -

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Image Numéro d'article Les fabricants La description Vue
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