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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati › EMF8T2R
EMF8T2R

EMF8T2R - Rohm Semiconductor

Numero di parte
EMF8T2R
fabbricante
Rohm Semiconductor
Breve descrizione
TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EMF8T2R Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
EMF8T2R.pdf
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - Array, pre-polarizzati
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
201747 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.1316/pcs
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EMF8T2R Descrizione dettagliata

Numero di parte EMF8T2R
Stato parte Not For New Designs
Transistor Type 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V, 12V
Resistore - Base (R1) (Ohm) 47k
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) 47k
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione 250MHz, 320MHz
Potenza - Max 150mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore EMT6
Peso -
Paese d'origine -

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