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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF › 2SC5551AE-TD-E
2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E - ON Semiconductor

品番
2SC5551AE-TD-E
メーカー
ON Semiconductor
簡単な説明
TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
2SC5551AE-TD-E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - バイポーラ（BJT） - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
85000 pcs
参考価格
USD 0.4725/pcs
私達の価格
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2SC5551AE-TD-E 詳細な説明

品番 2SC5551AE-TD-E
部品ステータス Active
トランジスタタイプ NPN
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） 30V
周波数 - 遷移 3.5GHz
ノイズ・フィギュア（dB Typ @ f） -
利得 -
電力 - 最大 1.3W
DC電流利得（hFE）（最小）@ Ic、Vce 90 @ 50mA, 5V
電流 - コレクタ（Ic）（最大） 300mA
動作温度 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース TO-243AA
サプライヤデバイスパッケージ PCP
重量 -
原産国 -

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