2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E - ON Semiconductor

Numéro d'article
2SC5551AE-TD-E
Fabricant
ON Semiconductor
Brève description
TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
2SC5551AE-TD-E Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
85000 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.4725/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour 2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E Description détaillée

Numéro d'article 2SC5551AE-TD-E
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 30V
Fréquence - Transition 3.5GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain -
Puissance - Max 1.3W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 300mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-243AA
Package de périphérique fournisseur PCP
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR 2SC5551AE-TD-E