2SC5551AE-TD-E

2SC5551AE-TD-E - ON Semiconductor

Artikelnummer
2SC5551AE-TD-E
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
85000 pcs
Referenzpreis
USD 0.4725/pcs
Unser Preis
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2SC5551AE-TD-E detaillierte Beschreibung

Artikelnummer 2SC5551AE-TD-E
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Frequenz - Übergang 3.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen -
Leistung max 1.3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket PCP
Gewicht -
Ursprungsland -

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