| 品番 | PMT200EN,135 |
|---|---|
| 部品ステータス | Obsolete |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 100V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 1.8A (Ta) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 4.5V, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 250µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 475pF @ 80V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | SOT-223 |
| パッケージ/ケース | TO-261-4, TO-261AA |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 詳細 |
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PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 詳細 |
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PMT200EPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73 | 詳細 |
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PMT200EPEX | Nexperia USA Inc. | PMT200EPE/SOT223/SC-73 | 詳細 |
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PMT20G | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | 詳細 |
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PMT20I | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | 詳細 |
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PMT20IM | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE | 詳細 |
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PMT20RG | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | 詳細 |
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PMT20RGT | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | 詳細 |
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PMT20RI | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | 詳細 |
