| 부품 번호 | PMT200EN,135 |
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| 부품 상태 | Obsolete |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 100V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.8A (Ta) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 475pF @ 80V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 800mW (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 235 mOhm @ 1.5A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | SOT-223 |
| 패키지 / 케이스 | TO-261-4, TO-261AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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PMT200EN,115 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 세부 |
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PMT200EN,135 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 | 세부 |
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PMT200EPEAX | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73 | 세부 |
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PMT200EPEX | Nexperia USA Inc. | PMT200EPE/SOT223/SC-73 | 세부 |
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PMT20G | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | 세부 |
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PMT20I | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | 세부 |
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PMT20IM | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE | 세부 |
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PMT20RG | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | 세부 |
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PMT20RGT | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M | 세부 |
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PMT20RI | Carlo Gavazzi Inc. | SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY | 세부 |
