• 日本语
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › PMT200EPEAX
PMT200EPEAX

PMT200EPEAX - Nexperia USA Inc.

品番
PMT200EPEAX
メーカー
Nexperia USA Inc.
簡単な説明
MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
PMT200EPEAX PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
18080 pcs
参考価格
USD 0/pcs
私達の価格
メールで送信：[email protected]

以下のフォームに記入して、見積もりをリクエストしてください PMT200EPEAX

PMT200EPEAX 詳細な説明

品番 PMT200EPEAX
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 70V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 167 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 15.9nC @ 10V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 822pF @ 35V
FET機能 -
消費電力（最大） 800mW (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SC-73
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
重量 -
原産国 -

関連製品 PMT200EPEAX

画像 品番 メーカー 説明 見る
PMT200EN,115 PMT200EN,115 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 詳細
PMT200EN,135 PMT200EN,135 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73 詳細
PMT200EPEAX PMT200EPEAX Nexperia USA Inc. MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73 詳細
PMT200EPEX PMT200EPEX Nexperia USA Inc. PMT200EPE/SOT223/SC-73 詳細
PMT20G PMT20G Carlo Gavazzi Inc. SENSOR THROUGH-BEAM 20M 詳細
PMT20I PMT20I Carlo Gavazzi Inc. SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY 詳細
PMT20IM PMT20IM Carlo Gavazzi Inc. SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE 詳細
PMT20RG PMT20RG Carlo Gavazzi Inc. SENSOR THROUGH-BEAM 20M 詳細
PMT20RGT PMT20RGT Carlo Gavazzi Inc. SENSOR THROUGH-BEAM 20M 詳細
PMT20RI PMT20RI Carlo Gavazzi Inc. SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY 詳細