PMT200EPEAX - Nexperia USA Inc.

Artikelnummer	PMT200EPEAX
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	70V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	2.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	167 mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	15.9nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	822pF @ 35V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	800mW (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	SC-73
Paket / Fall	TO-261-4, TO-261AA
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
PMT200EN,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73	Einzelheiten
PMT200EN,135	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73	Einzelheiten
PMT200EPEAX	Nexperia USA Inc.	MOSFET P-CHANNEL 70V 2.4A SC73	Einzelheiten
PMT200EPEX	Nexperia USA Inc.	PMT200EPE/SOT223/SC-73	Einzelheiten
PMT20G	Carlo Gavazzi Inc.	SENSOR THROUGH-BEAM 20M	Einzelheiten
PMT20I	Carlo Gavazzi Inc.	SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY	Einzelheiten
PMT20IM	Carlo Gavazzi Inc.	SENSOR THROUGH-BEAM 20M MUTE	Einzelheiten
PMT20RG	Carlo Gavazzi Inc.	SENSOR THROUGH-BEAM 20M	Einzelheiten
PMT20RGT	Carlo Gavazzi Inc.	SENSOR THROUGH-BEAM 20M	Einzelheiten
PMT20RI	Carlo Gavazzi Inc.	SENSOR THROUGH-BEAM 20M RELAY	Einzelheiten