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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › PMT200EN,115
PMT200EN,115

PMT200EN,115 - NXP USA Inc.

品番
PMT200EN,115
メーカー
NXP USA Inc.
簡単な説明
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4034 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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PMT200EN,115 詳細な説明

品番 PMT200EN,115
部品ステータス Obsolete
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1.8A (Ta)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 4.5V, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 10nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 475pF @ 80V
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 235 mOhm @ 1.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ SOT-223
パッケージ/ケース TO-261-4, TO-261AA
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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