| 品番 | APTM60A11FT1G |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET機能 | Standard |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 600V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 40A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 132 mOhm @ 33A, 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 5V @ 2.5mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 330nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 10552pF @ 25V |
| 電力 - 最大 | 390W |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | SP1 |
| サプライヤデバイスパッケージ | SP1 |
| 重量 | - |
| 原産国 | - |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 見る |
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APTM60A11FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1 | 詳細 |
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APTM60A23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1 | 詳細 |
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APTM60H23FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1 | 詳細 |
