APTM60A11FT1G - Microsemi Corporation

Número de pieza: APTM60A11FT1G
Fabricante: Microsemi Corporation
Breve descripción: MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 707 pcs
Precio de referencia: USD 37.3932/pcs
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Número de pieza	APTM60A11FT1G
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	10552pF @ 25V
Potencia - Max	390W
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Chassis Mount
Paquete / caja	SP1
Paquete de dispositivo del proveedor	SP1
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
APTM60A11FT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1	Detalles
APTM60A23FT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 600V 20A SP1	Detalles
APTM60H23FT1G	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1	Detalles