APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTM60A11FT1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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700 pcs
Prezzo di riferimento
USD 37.3932/pcs
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APTM60A11FT1G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTM60A11FT1G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 10552pF @ 25V
Potenza - Max 390W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Peso -
Paese d'origine -

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