APTM60A11FT1G

APTM60A11FT1G - Microsemi Corporation

Numéro d'article
APTM60A11FT1G
Fabricant
Microsemi Corporation
Brève description
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
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Fiche technique PDF Download
APTM60A11FT1G.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
711 pcs
Prix ​​de référence
USD 37.3932/pcs
Notre prix
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APTM60A11FT1G Description détaillée

Numéro d'article APTM60A11FT1G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 132 mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 330nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10552pF @ 25V
Puissance - Max 390W
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1
Poids -
Pays d'origine -

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