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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › NAND02GW3B2DN6E
NAND02GW3B2DN6E

NAND02GW3B2DN6E - Micron Technology Inc.

品番
NAND02GW3B2DN6E
メーカー
Micron Technology Inc.
簡単な説明
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NAND02GW3B2DN6E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
60277 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NAND02GW3B2DN6E 詳細な説明

品番 NAND02GW3B2DN6E
部品ステータス Discontinued at Digi-Key
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND
メモリー容量 2Gb (256M x 8)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
アクセス時間 25ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 2.7V ~ 3.6V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 48-TSOP
重量 -
原産国 -

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