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ホーム › 製品カテゴリ › 集積回路（IC） › メモリ › NAND01GR3B2CZA6E
NAND01GR3B2CZA6E

NAND01GR3B2CZA6E - Micron Technology Inc.

品番
NAND01GR3B2CZA6E
メーカー
Micron Technology Inc.
簡単な説明
IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
NAND01GR3B2CZA6E PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
NAND01GR3B2CZA6E.pdf
カテゴリー
メモリ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4488 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NAND01GR3B2CZA6E 詳細な説明

品番 NAND01GR3B2CZA6E
部品ステータス Obsolete
メモリの種類 Non-Volatile
メモリフォーマット FLASH
技術 FLASH - NAND
メモリー容量 1Gb (128M x 8)
クロック周波数 -
書き込みサイクル時間 - ワード、ページ 25ns
アクセス時間 25ns
メモリインターフェイス Parallel
電圧 - 供給 1.7 V ~ 1.95 V
動作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 63-TFBGA
サプライヤデバイスパッケージ 63-VFBGA (9.5x12)
重量 -
原産国 -

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画像 品番 メーカー 説明 見る
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