NAND01GR3B2CZA6E - Micron Technology Inc.

Numero di parte	NAND01GR3B2CZA6E
Stato parte	Obsolete
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Dimensione della memoria	1Gb (128M x 8)
Frequenza di clock	-
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	25ns
Tempo di accesso	25ns
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	1.7 V ~ 1.95 V
temperatura di esercizio	-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	63-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore	63-VFBGA (9.5x12)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
NAND016R3B2CZA6	ST	NAND016R3B2CZA6 ST BGA New Original Stocks	Dettagli
NAND01G-B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Dettagli
NAND01G-N	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Dettagli
NAND01GR3B	EXSHINE	2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory	Dettagli
NAND01GR3B2BZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Dettagli
NAND01GR3B2CZA6E	Micron Technology Inc.	IC FLASH 1GBIT 30NS 63VFBGA	Dettagli
NAND01GR3N6	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Dettagli
NAND01GR4N5	EXSHINE	1 Gbit (x8/x16) 2112 Byte Page NAND Flash Memory and 512 Mbit (x16) LPSDRAM, 1.8V, Multi-Chip Package	Dettagli
NAND01GW382CN6	STM	NAND01GW382CN6 STM TSOP New Original Stocks	Dettagli
NAND01GW3A0AN6E	STMicroelectronics	IC FLASH 1GBIT 50NS 48TSOP	Dettagli