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Casa › Categorie di Prodotto › Circuiti integrati (CI) › Memoria › NAND02GW3B2DN6E
NAND02GW3B2DN6E

NAND02GW3B2DN6E - Micron Technology Inc.

Numero di parte
NAND02GW3B2DN6E
fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
NAND02GW3B2DN6E Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Memoria
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
60277 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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NAND02GW3B2DN6E Descrizione dettagliata

Numero di parte NAND02GW3B2DN6E
Stato parte Discontinued at Digi-Key
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH
Tecnologia FLASH - NAND
Dimensione della memoria 2Gb (256M x 8)
Frequenza di clock -
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 25ns
Tempo di accesso 25ns
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 48-TSOP
Peso -
Paese d'origine -

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