NAND02GW3B2DN6E

NAND02GW3B2DN6E - Micron Technology Inc.

Número de pieza
NAND02GW3B2DN6E
Fabricante
Micron Technology Inc.
Breve descripción
IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Memoria
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
60277 pcs
Precio de referencia
USD 0/pcs
Nuestro precio
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NAND02GW3B2DN6E Descripción detallada

Número de pieza NAND02GW3B2DN6E
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 2Gb (256M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 48-TSOP
Peso -
País de origen -

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