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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › IXTH1N170DHV
IXTH1N170DHV

IXTH1N170DHV - IXYS

品番
IXTH1N170DHV
メーカー
IXYS
簡単な説明
MOSFET N-CH
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
IXTH1N170DHV PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
17517 pcs
参考価格
USD 9.398/pcs
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IXTH1N170DHV 詳細な説明

品番 IXTH1N170DHV
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 1700V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1A (Tj)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 0V
Rds On（Max）@ Id、Vgs 16 Ohm @ 500mA, 0V
Vgs（th）（Max）@ Id 4.5V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 47nC @ 5V
Vgs（最大） ±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3090pF @ 25V
FET機能 Depletion Mode
消費電力（最大） 290W (Tc)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-247HV
パッケージ/ケース TO-247-3 Variant
重量 -
原産国 -

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