IXTH1N170DHV Descripción detallada
Número de pieza |
IXTH1N170DHV |
Estado de la pieza |
Active |
Tipo de FET |
N-Channel |
Tecnología |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) |
1700V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C |
1A (Tj) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) |
0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
16 Ohm @ 500mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4.5V @ 250µA |
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs |
47nC @ 5V |
Vgs (Max) |
±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
3090pF @ 25V |
Característica FET |
Depletion Mode |
Disipación de potencia (Máx) |
290W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje |
Through Hole |
Paquete de dispositivo del proveedor |
TO-247HV |
Paquete / caja |
TO-247-3 Variant |
Peso |
- |
País de origen |
- |
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